首页> 外文OA文献 >Orientation of graphitic planes during the bias-enhanced nucleation of diamond on silicon: An x-ray absorption near-edge study
【2h】

Orientation of graphitic planes during the bias-enhanced nucleation of diamond on silicon: An x-ray absorption near-edge study

机译:金刚石在硅上的偏斜增强形核过程中石墨平面的取向:X射线吸收近边缘研究

代理获取
本网站仅为用户提供外文OA文献查询和代理获取服务,本网站没有原文。下单后我们将采用程序或人工为您竭诚获取高质量的原文,但由于OA文献来源多样且变更频繁,仍可能出现获取不到、文献不完整或与标题不符等情况,如果获取不到我们将提供退款服务。请知悉。

摘要

3 pages, 2 figures.
机译:3页2图。

著录项

相似文献

  • 外文文献
  • 中文文献
  • 专利
代理获取

客服邮箱:kefu@zhangqiaokeyan.com

京公网安备:11010802029741号 ICP备案号:京ICP备15016152号-6 六维联合信息科技 (北京) 有限公司©版权所有
  • 客服微信

  • 服务号